| 主权项 |
一种半导体基板，系具有基座基板、第1结晶层、第2结晶层、和绝缘层，前述基座基板、前述第1结晶层、前述第2结晶层、及前述绝缘层系依照前述基座基板、前述第1结晶层、前述第2结晶层、前述绝缘层之顺序定位，复具有位于前述第1结晶层和前述第2结晶层之间或前述基座基板和前述第1结晶层之间之第3结晶层，前述第2结晶层系由以晶格整合或准晶格整合于构成前述第1结晶层之结晶，并且禁制带幅宽较构成前述第1结晶层之结晶为大之结晶所组成，前述第3结晶层系由以晶格整合或准晶格整合于构成前述第1结晶层之结晶，并且禁制带幅宽较构成前述第1结晶层之结晶为大之结晶所组成，前述第3结晶层包含成为施体或受体之第1原子，在前述第3结晶层包含成为施体之第1原子之状态下，前述第2结晶层包含成为受体之第2原子，在前述第3结晶层包含成为受体之第1原子之状态下，前述第2结晶层包含成为施体之第2原子。 |
