首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 矽晶圆及其生产方法
摘要
申请公布号 TWI500828 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW100126755 申请日期 2011.07.28
申请人 世创电子材料公司 发明人 泛　亚蒙　威尔福莱德;基辛格　古德伦;寇特　大卫
分类号 C30B33/02;C30B29/06 主分类号 C30B33/02
代理机构 代理人 陈翠华 台北市松山区南京东路3段261号6楼
主权项 一种氧浓度为5×1017至7.5×1017/立方公分的矽晶圆，其具有一BMD密度，其中：-在780℃下热处理该矽晶圆3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，该BMD密度为1×106/立方公分至1×108/立方公分；或者-在以1K/分钟的加热速率将该矽晶圆从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，该BMD密度为至少1×109/立方公分。
地址 德国
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com