发明名称 电极结构及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI500575 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW101127153 申请日期 2012.07.27
申请人 LG伊诺特股份有限公司 发明人 崔准洛;文锺云;柳永先;蔡京勋
分类号 B82B3/00;H01L31/042;G02F1/1343 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人 陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号
主权项 一种电极制造方法,该方法包括:形成一第一奈米线至一第四奈米线;配置该第一奈米线至该第四奈米线在一基板之上;以及接合该第一奈米线至该第四奈米线,其中该第一奈米线与该第二、该第四奈米线相接合,并与该第二、该第四奈米线相互交错,以及该第二奈米线与该第一、该第三奈米线相接合,并与该第一、该第三奈米线相互交错。
地址 南韩