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经营范围
发明名称
电极结构及其制造方法
摘要
申请公布号
TWI500575
申请公布日期
2015.09.21
申请号
TW101127153
申请日期
2012.07.27
申请人
LG伊诺特股份有限公司
发明人
崔准洛;文锺云;柳永先;蔡京勋
分类号
B82B3/00;H01L31/042;G02F1/1343
主分类号
B82B3/00
代理机构
代理人
陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号
主权项
一种电极制造方法,该方法包括:形成一第一奈米线至一第四奈米线;配置该第一奈米线至该第四奈米线在一基板之上;以及接合该第一奈米线至该第四奈米线,其中该第一奈米线与该第二、该第四奈米线相接合,并与该第二、该第四奈米线相互交错,以及该第二奈米线与该第一、该第三奈米线相接合,并与该第一、该第三奈米线相互交错。
地址
南韩
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