发明名称 Manufacturing method for Through silicon via wafer
摘要 <p>본 발명은 관통전극 웨이퍼 제조방법에 관한 것으로, a) 액상의 접착제를 지지부재 상에 도포하는 단계와, b) 상기 접착제에 프로세스 웨이퍼를 안착시키되, 소자형성면이 상기 접착제를 향하도록 안착시킨 후 상기 접착제를 경화시켜 접착층을 형성하는 단계와, c) 상기 프로세스 웨이퍼의 상면을 연마 가공하는 단계와, d) 에어와 슬러리 혼합물을 노즐로 분사하여, 상기 프로세스 웨이퍼의 가장자리 둘레 영역 하부의 접착층을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명은 에어와 슬러리 혼합물을 분사하여 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착층을 제거하여, 후속 공정에서 접착층에 의한 파티클의 발생을 방지하여, 수율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 프로세스 웨이퍼의 손상을 주지 않아 공정의 안정화 및 생산성 향상의 효과가 있다.</p>
申请公布号 KR101554815(B1) 申请公布日期 2015.09.21
申请号 KR20140026936 申请日期 2014.03.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
地址