半导体晶圆及其制造方法

主权项

一种半导体晶圆，其在研磨时于外周形成有塌边，所述半导体晶圆的特征在于：在前述半导体晶圆的中心与外周塌边开始位置之间，前述半导体晶圆的厚度方向的位移量是100nm以下，且前述半导体晶圆的中心是凸出的形状，前述半导体晶圆的外周塌边量是100nm以下，并且，前述外周塌边开始位置，是从前述半导体晶圆的外周端往中心侧20mm以上的位置、或比作为ESFQR的测定对象的前述半导体晶圆的外周部更靠近中心侧的位置。