| 发明名称 | 电阻式记忆胞与其操作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI501236 | 申请公布日期 | 2015.09.21 |
| 申请号 | TW101132400 | 申请日期 | 2012.09.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 简维志;李明修 |
| 分类号 | G11C13/00;H01L21/28 | 主分类号 | G11C13/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种电阻式记忆胞，包括：一第一电极；一钨金属层，配置在该第一电极上；一金属氧化层，配置在该钨金属层上；以及一第二电极，包括一第一连接垫、一第二连接垫、以及电性连接在该第一连接垫与该第二连接垫之间的一桥接部，且该桥接部配置在该金属氧化层上或是环绕在该金属氧化层的周围，其中该电阻式记忆胞透过流经该金属氧化层与该钨金属层的一第一电流路径或是从该第一连接垫延伸至该第二连接垫的一第二电流路径来调整该金属氧化层的电阻率。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||