| 发明名称 | 具二极体整流能力的电阻式记忆体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI501405 | 申请公布日期 | 2015.09.21 |
| 申请号 | TW100124192 | 申请日期 | 2011.07.08 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 张鼎张;徐咏恩;简富彦;蔡铭进 |
| 分类号 | H01L29/86 | 主分类号 | H01L29/86 |
| 代理机构 | 代理人 | 林坤成 台北市信义区松德路171号2楼;刘纪盛 台北市信义区祥云街57号;谢金原 高雄市前镇区复兴四路12号3楼之7 | |
| 主权项 | 一种具二极体整流能力的电阻式记忆体结构，包括：一第一电极；一第二电极；以及一电阻转换层，设置于该第一电极与该第二电极之间，该电阻转换层包括：一第一氧化绝缘层，系邻接于该第一电极；一第二氧化绝缘层，系邻接于该第二电极；及一能障调控层，设置于该第一氧化绝缘层与该第二氧化绝缘层之间，并与该第一氧化绝缘层之间形成一能障，与该第二氧化绝缘层之间形成一固定能障，其中，一工作偏压自该第一电极跨接至该第二电极时，该电阻转换层系呈现一经由该能障调控层与该第一氧化绝缘层相互反应以调节该能障之可变电阻特性，与由该固定能障调节电流之一二极体特性，其中该工作偏压为一负/正电压时，该第一氧化绝缘层与该能障调控层之间的该能障系受控变化而呈现该可变电阻特性，该能障受控于该第一氧化绝缘层之氧离子与该能障调控层之元素的结合反应，该结合/脱离反应之强度受控于该负/正电压之电压值。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||