半导体装置

主权项

一种半导体装置，其特征系具有：半导体基板；金属配线，其系配置于设在前述半导体基板的半导体元件上；保护膜，其系形成于前述金属配线之上，保护前述金属配线；应力缓冲层，其系形成于前述保护膜之上，由陶瓷膜及机械刚性比前述陶瓷膜小的材料的2层所构成；通孔，其系贯通前述保护膜及前述应力缓冲层，而设于前述金属配线上；底层金属膜，其系形成于前述通孔的内面及前述金属配线的表面、及前述应力缓冲层的表面；导电层，其系形成埋入前述通孔；及凸块电极，其系形成于前述导电层之上，平面视，前述通孔系避开前述凸块电极的中心，于前述凸块电极之下，但形成于周围的区域。