发明名称 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要 <p>본 발명은, 반도체 기판에 있어서의 반도체층 표면의 평탄성을 향상시키는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 반도체 기판의 생산성을 향상시키는 것을 목적의 하나로 한다. 단결정 반도체 기판의 일 표면에 이온을 조사하여 손상 영역을 형성하고, 단결정 반도체 기판의 일 표면 위에 절연층을 형성하고, 절연 표면을 가지는 기판의 표면과 절연층의 표면을 접촉시켜 절연 표면을 가지는 기판과 단결정 반도체 기판을 접합하고, 가열 처리를 실시함으로써, 손상 영역에 있어서 단결정 반도체 기판을 분리시켜 절연 표면을 가지는 기판 위에 단결정 반도체층을 형성하고, 단결정 반도체층을 패터닝함으로써 복수의 섬 형상 반도체층을 형성하고, 섬 형상 반도체층의 하나에 상기 섬 형상 반도체층의 전체 면을 덮도록 성형된 레이저 광을 조사한다.</p>
申请公布号 KR101554470(B1) 申请公布日期 2015.09.21
申请号 KR20090004890 申请日期 2009.01.21
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L27/12 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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