发明名称 用于在一晶片上弯折电路之结构及方法
摘要
申请公布号 TWI500949 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW100113947 申请日期 2011.04.21
申请人 哈尼威尔国际公司 发明人 霍宁 罗伯特D;瑞德利 杰夫A;潘特 巴哈雷特
分类号 G01R33/02;G01R33/09;G01R33/00;H01L27/22;H01L43/12 主分类号 G01R33/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种制造一多轴感测器(12)之方法,该方法包括:形成覆盖一基板(100)之牺牲材料(110)之图案;将一可挠性材料(120)覆盖于该牺牲材料及该基板之一锚定表面(130)上,该可挠性材料包含若干感测器区域(210)、一锚定区域(220)及至少一铰链区域(230);自覆盖该可挠性材料之各别感测器区域之可定向感测器材料形成感测器元件(139);沿着该锚定区域(220)与一相邻感测器区域(212)之间之边界(280)在该可挠性材料中形成至少一各别锚定铰链(235);在该可挠性材料中形成该等感测器区域、该锚定区域及该至少一铰链区域;调教该等感测器元件以形成定向于该相同方向上之各别定向感测器元件(140);蚀刻该牺牲材料;及以与该锚定表面成一角度蚀刻该基板。
地址 美国