发明名称 半导体装置
摘要
申请公布号 TWI501383 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW098132320 申请日期 2009.09.24
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 松崎隆德
分类号 H01L27/108;G06K19/07 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包括记忆体胞格,该记忆体胞格包含:电晶体,该电晶体的闸极电连接到字线,及该电晶体之源极和汲极的其中之一电连接到位元线;电容器,该电容器的一终端电连接到该电晶体之该源极和该汲极的其中另一个,及该电容器的另一终端电连接到导线;以及电阻器,该电阻器的一终端电连接到该电晶体之该源极和该汲极的该其中另一个,及该电阻器的另一终端电连接到该导线,其中当该电晶体的该闸极之电位和该电晶体之该源极和该汲极的该其中之一的电位等于该电容器的该另一终端之电位时,从该电容器放电并且流到该电阻器之电荷量大于从该电容器放电并且流到该电晶体之电荷量。
地址 日本