| 摘要 |
<p>埋め込まれた第１の電極を有するセンサデバイスを形成するためのシステムおよび方法は、電極層を有する第１のシリコン部分、およびデバイス層を有する第２のシリコン部分を設けるステップを含む。第１のシリコン部分および第２のシリコン部分は、第１のシリコン部分の電極層および第２のシリコン部分のデバイス層上に形成された共通の酸化物層に沿って隣接する。結果として生じる多層シリコン積層体は、埋め込み酸化物層、高度にドープされたイオン注入領域、またはそれらの組み合わせによってさらに画成される埋め込み下部電極を含む。多層シリコン積層体は、下部電極および上部電極の両方を可能にする、各層内に電気的に絶縁された領域を備えた複数のシリコン層および二酸化シリコン層を有する。多層シリコン積層体は、下部電極がセンサデバイスの上面からアクセス可能となるようにすることができるスペーサをさらに含む。</p> |
