| 摘要 |
<p>ＲＰＣＶＤによって基材上に薄膜を形成する装置および方法は、非常に低レベルの炭素および酸素の不純物を提供し、かつ第ＶＡ族プラズマを成長チャンバの第１堆積区域に導入する工程と、第ＩＩＩＡ族試薬を第１堆積区域とは離れた成長チャンバの第２堆積区域に導入する工程と、アンモニア、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよび水素プラズマのうちからなる群より選択される一定量の追加試薬を、追加試薬注入口を介して、追加試薬と第ＩＩＩＡ族試薬とが堆積前に混合するように、第２堆積区域に導入する工程とを含む。</p> |
