ＩＮＧＡＮチャネルのＮ極のＧＡＮＨＥＭＴ特性

摘要

二次元電子ガス（２ＤＥＧ）層の形成のためにＩｎＧａＮチャネルを備える、Ｎ極の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイスが、開示される。この新規なチャネル層は、電子伝達の改善を提供する。それは、より高い周波数の無線周波数（ＲＦ）性能を可能にする、より高い電子移動度及び高い界速度を備える。デバイスはまた、２ＤＥＧに二重の閉じ込めを提供するＩｎＧａＮチャネル層の上に堆積される、ＧａＮキャップ層を含み得る。【選択図】図２Ａ