NITROGEN GAS PASSIVATION METHOD FOR SEED AND METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL USING THE SAME
摘要
<p>본 발명은 종자정 질화처리 방법 및 이를 이용한 단결정 성장 방법에 관한 것으로, 종자정의 일면에 그라파이트 필름(graphite film) 또는 글루(glue)를 코팅하고, 상기 코팅된 종자정을 열처리하여 표면의 유기물질을 제거한 다음, 상기 유기물질이 제거된 종자정을 퍼지(purge)하여 산소를 제거하고, 상기 퍼지된 종자정을 질소분위기에서 질화처리하는 종자정 질화처리 방법과 이를 이용한 단결정 성장 방법이 개시된다.</p>
