Licht emittierende III-Nitrid-Anordnungen mit niedriger Ansteuerspannung und Herstellverfahren dafür

摘要

Licht emittierende Anordnung mit: einem Substrat; einer auf dem genannten Substrat angeordneten Nukleationsschicht; einer über der genannten Nukleationsschicht angeordneten Fehlstellenreduzierungsstruktur und einer über der genannten Fehlstellenreduzierungsstruktur angeordneten III-Nitrid-Halbleiterschicht vom n-Typ, welche n-Schicht eine Dicke hat, die größer oder gleich etwa einem Mikrometer ist, und eine Silicium-Dotierstoffkonzentration größer oder gleich etwa 1 × 1019 cm–3, wobei die genannte Fehlstellenreduzierungsstruktur eine Fehlstellenreduzierungsschicht umfasst, die eine Spiralversetzungsdichte in der genannten n-Schicht auf weniger als etwa 2 × 109 cm–2 reduziert.