Halbleiterbaugruppe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterbaugruppe

摘要

Eine Halbleiterbaugruppe (24; 26) weist ein Halbleitebauelement (1) mit einem Schaltungsträger (2; 27), einem Halbleiterchip (3) und einer Vielzahl von elektrischen Verbindungen (4) auf. Eine Haftkraftverstärkungsschicht (22) wird zumindest an Bereichen des Halbleiterbauelements (1) abgeschieden und Kunststoff-Vergussmaterial (25) verkapselt zumindest den Halbleiterchip (3), die Vielzahl der elektrischen Verbindungen (4) und die Vielzahl der inneren Kontaktpads (9). Oberflächenbereiche (17) des Halbleiterbauelements (1) werden selektiv aktiviert.