发明名称 Senkrechtes Spin-Transfer-Torque-Speicherbauelement (STTM-Bauelement) mit versetzten Zellen und Verfahren zu deren Ausbildung
摘要 <p>Es werden senkrechte Spin-Transfer-Torque-Speicherbauelemente (STTM-Bauelemente) mit versetzten Zellen und Verfahren zum Herstellen senkrechter STTM-Bauelemente mit versetzten Zellen beschrieben. Beispielsweise enthält ein Spin Torque Transfer-Speicherarray (STTM-Array) eine erste Lastleitung, die über einem Substrat angeordnet ist und nur ein erstes STTM-Bauelement besitzt. Das STTM-Array enthält auch eine zweite Lastleitung, die über dem Substrat bei der ersten Lastleitung angeordnet ist und nur ein zweites STTM-Bauelement besitzt, wobei das zweite STTM-Bauelement nicht koplanar zum ersten STTM-Bauelement ist.</p>
申请公布号 DE112013006117(T5) 申请公布日期 2015.09.17
申请号 DE20131106117T 申请日期 2013.06.17
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 DOYLE, BRIAN S.;KENCKE, DAVID L.;KUO, CHARLES C.;SHAH, UDAY;OGUZ, KAAN;DOCZY, MARK L.;SURI, SATYARTH;WEBB, CLAIR C.
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
地址