发明名称 |
Senkrechtes Spin-Transfer-Torque-Speicherbauelement (STTM-Bauelement) mit versetzten Zellen und Verfahren zu deren Ausbildung |
摘要 |
<p>Es werden senkrechte Spin-Transfer-Torque-Speicherbauelemente (STTM-Bauelemente) mit versetzten Zellen und Verfahren zum Herstellen senkrechter STTM-Bauelemente mit versetzten Zellen beschrieben. Beispielsweise enthält ein Spin Torque Transfer-Speicherarray (STTM-Array) eine erste Lastleitung, die über einem Substrat angeordnet ist und nur ein erstes STTM-Bauelement besitzt. Das STTM-Array enthält auch eine zweite Lastleitung, die über dem Substrat bei der ersten Lastleitung angeordnet ist und nur ein zweites STTM-Bauelement besitzt, wobei das zweite STTM-Bauelement nicht koplanar zum ersten STTM-Bauelement ist.</p> |
申请公布号 |
DE112013006117(T5) |
申请公布日期 |
2015.09.17 |
申请号 |
DE20131106117T |
申请日期 |
2013.06.17 |
申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
DOYLE, BRIAN S.;KENCKE, DAVID L.;KUO, CHARLES C.;SHAH, UDAY;OGUZ, KAAN;DOCZY, MARK L.;SURI, SATYARTH;WEBB, CLAIR C. |
分类号 |
H01L27/10 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|