| 发明名称 |
Nanokristallines Siliciummaterial, Aktivmaterial für eine negative Elektrode, Herstellungsverfahren für das Material und elektrisches Speichergerät |
| 摘要 |
Ein nanometergroßes Siliciummaterial, hergestellt durch Wärmebehandlung eines lamellaren Polysilans, weist in einem Raman-Spektrum bei 341 ± 10 cm–1, 360 ± 10 cm–1, 498 ± 10 cm–1, 638 ± 10 cm–1 und 734 ± 10 cm–1 vorhandene Raman-Verschiebungs-Scheitelpunkte auf, weist eine große spezifische Oberfläche auf und weist einen reduzierten SiO-Gehalt auf. |
| 申请公布号 |
DE112013005568(T5) |
申请公布日期 |
2015.09.17 |
| 申请号 |
DE20131105568T |
申请日期 |
2013.11.18 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI |
发明人 |
SUGIYAMA, YUSUKE;NAKANISHI, MASATAKA;MURASE, MASAKAZU;NIIMI, TOMOHIRO;HIRATE, HIROSHI;MORI, TAKASHI;NAKAGAKI, YOSHIHIRO;KOISHI, SHIGENORI |
| 分类号 |
C01B33/02;B82Y40/00;C08G77/60;H01G11/22;H01M4/134;H01M4/38;H01M4/62 |
主分类号 |
C01B33/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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