| 发明名称 | 一种光调制器PN结的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光调制器PN结的制作方法，该方法包括如下步骤：提供一衬底；对所述衬底进行曝光和刻蚀，形成目标光波导和调制器图形；对所述经过刻蚀的衬底进行轻掺杂N<sup>-</sup>离子注入；利用第二掩模版对所述经过轻掺杂N<sup>-</sup>离子注入后的衬底进行轻掺杂P<sup>-</sup>离子注入。由于在制作过程中只需使用一个掩模版，因而节约了用于光调制器中PN结的制作成本，并且避免了两层掩模版存在的曝光时的对准误差。 | ||
| 申请公布号 | CN101907785B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201010198509.3 | 申请日期 | 2010.06.11 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李乐 |
| 分类号 | G02F1/017(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/017(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种光调制器PN结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；对所述衬底进行曝光和刻蚀，形成目标光波导和调制器图形；对所述经过刻蚀的衬底进行轻掺杂N<sup>‑</sup>离子注入；以及利用第二掩模版对所述经过轻掺杂N<sup>‑</sup>离子注入后的衬底进行P<sup>‑</sup>离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||