发明名称 |
一种基于CMOS的高精细度数控振荡器延迟基本单元 |
摘要 |
本发明提供了一种基于CMOS工艺的高精细度数控振荡器延迟基本单元结构,包括以下部分:粗调节部分,所述粗调节部分包含至少一个基于标准单元库具有反相功能的单元;精细调节部分,所述精细调节部分包含若干个可调节晶体管宽度的PMOS管阵列。本发明通过采用数控振荡器延迟基本单元,使得数控振荡器获得高精度的延迟时间,同时由于延迟时间与PMOS管的宽度有线性的对应关系,使得系统的实现复杂度较小。 |
申请公布号 |
CN104917522A |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201410088791.8 |
申请日期 |
2014.03.12 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
乔树山;谢正章;赵慧冬 |
分类号 |
H03L7/099(2006.01)I |
主分类号 |
H03L7/099(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
一种数控振荡器延迟基本单元结构,该结构包括:粗调节部分,所述粗调节部分包含至少一个基于标准单元库具有反相功能的单元;精细调节部分,所述精细调节部分包含若干个可调节晶体管宽度的PMOS管阵列。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |