| 发明名称 | 用于可控硅的驱动电路以及交流模块的电路 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种可控硅的驱动电路，包括驱动模块、限流单元、隔离电流转换单元和倍压整流；所述驱动模块用于产生驱动信号，并且所述驱动模块与所述隔离电流转换单元的原边连接；所述限流单元串联连接在所述驱动模块和所述隔离电流转换单元之间；所述隔离电流转换单元的副边与所述倍压整流的第一输入端和第二输入端分别连接；所述倍压整流的第一输出端用于与所述可控硅的控制极G连接，所述倍压整流的第二输出端用于与所述可控硅的阴极K连接。这样，能够使电路设计小型化，并且能够提升可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104917405A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510244578.6 | 申请日期 | 2015.05.14 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 樊晓东 |
| 分类号 | H02M7/155(2006.01)I | 主分类号 | H02M7/155(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人 | 王君;肖鹂 |
| 主权项 | 一种用于可控硅的驱动电路(100)，其特征在于，包括驱动模块(101)、限流单元(102)、隔离电流转换单元(103)和倍压整流(104)；所述驱动模块(101)用于产生驱动信号，并且所述驱动模块(101)与所述隔离电流转换单元(103)的原边连接；所述限流单元(102)串联连接在所述驱动模块(101)和所述隔离电流转换单元(103)之间；所述隔离电流转换单元(103)的副边与所述倍压整流(104)的第一输入端和第二输入端分别连接；所述倍压整流的第一输出端用于与所述可控硅的控制极G连接，所述倍压整流的第二输出端用于与所述可控硅的阴极K连接。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||