发明名称 |
一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器 |
摘要 |
本发明公开了一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器,采用差分NMOS交叉耦合结构实现,与PMOS交叉耦合结构相比,贡献的寄生电容较小,因而能够获得更高的振荡频率。此外,压控振荡器中的差分电感采用U形传输线差分电感,具有较小的感值,可以进一步提高振荡频率。本发明的振荡电路,其调谐范围为70.97-76.76GHz,在中心频率73.86GHz下,1MHz和10MHz频偏处相位噪声分别为-89.47dBc/Hz和-116.2dBc/Hz,功耗为10.8毫瓦。可作为E-band无线通信系统的本振信号源,也可作为频率综合器中的压控振荡器使用。 |
申请公布号 |
CN104917463A |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201510360577.8 |
申请日期 |
2015.06.26 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
石春琦;张润曦;严一宇;赖宗声;张健 |
分类号 |
H03B5/32(2006.01)I |
主分类号 |
H03B5/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海蓝迪专利事务所 31215 |
代理人 |
徐筱梅;张翔 |
主权项 |
一种互补金属氧化物半导体全集成71‑76GHz LC压控振荡器,其特征在于该振荡器器由NMOSFET器件和无源器件相结合组成的能产生负阻的交叉耦合结构,其具体形式为:第一NMOS管M1的源极与第二NMOS管M2的源极相连,并共同与地线GND相连,第一NMOS管M1的漏极与第二NMOS管M2的栅极相连,第二NMOS管M2的漏极与第一NMOS管M1的栅极相连,第一NMOS管M1的漏极与第一可变电容C1的一端相连,第一可变电容C1的另一端与第二可变电容C2的一端相连并与外部调谐控制端Vtune相连,第二可变电容C2的另一端与第二NMOS管M2的漏极相连,第一NMOS管M1的漏极与传输线差分电感L1的一端相连,传输线差分电感L1的另一端与第二NMOS管M2的漏极相连,传输线差分电感L1的中间抽头与电源线VDD相连;第一NMOS管M1的漏极为振荡信号的同相输出端VP,第二晶体管M2的漏极为振荡信号的反相输出端VN。 |
地址 |
200241 上海市闵行区东川路500号 |