| 发明名称 | 一种激光诱导热生长氧化硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种激光诱导热生长氧化硅的方法，所述方法包括：采用激光照射无定形硅制备氧化硅的步骤。所述方法适用于晶圆背后感光技术制程。所述晶圆背后感光技术制程包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积氧化硅层和无定形硅层；进行化学机械平坦化步骤，以去除部分无定形硅层；执行激光照射步骤；执行热键合步骤。根据本发明的制造工艺在BSI器件晶圆键合面上采用激光诱导氧化方式热生长氧化硅层，能有效避免器件晶圆热损伤缺陷的产生，生成氧化物的致密性高，可提高键合强度。 | ||
| 申请公布号 | CN104916535A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410093052.8 | 申请日期 | 2014.03.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 金滕滕;张先明;丁敬秀 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种激光诱导热生长氧化硅的方法，包括：采用激光照射无定形硅制备氧化硅的步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||