| 发明名称 | SiC单晶基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及SiC单晶基板的制造方法，提供一种可以从含有作为杂质的Cr的SiC单晶的表面除去杂质Cr的SiC单晶的制造方法。该方法包括将含有作为杂质的Cr的SiC单晶基板浸渍于50℃～80℃的盐酸中的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104911716A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510102473.7 | 申请日期 | 2015.03.09 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 关章宪 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
| 主权项 | 一种SiC单晶基板的制造方法，包括将含有作为杂质的Cr的SiC单晶基板浸渍于50℃～80℃的盐酸中的工序。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||