发明名称 薄膜电晶体阵列的制备方法;METHOD FOR MAKING AN ARRAY OF THIN FILM TRANSISTOR
摘要 本发明涉及一种薄膜电晶体阵列的制备方法,其包括以下步骤:提供一绝缘基板,在所述绝缘基板的表面设置一闸极;在所述闸极的表面设置一连续的绝缘层;在所述绝缘层的表面设置一奈米碳管层;对所述奈米碳管层进行图案化,以得到复数源极以及复数汲极;以及,提供一含有复数半导体膜碎片的悬浮液,将所述含有复数半导体膜碎片的悬浮液涂覆于所述绝缘层的表面形成包括复数半导体膜碎片的半导体层,相邻的源极和汲极之间存在至少一半导体膜碎片,该至少一半导体膜碎片覆盖部份的该相邻的源极和汲极。
申请公布号 TW201535749 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW103108670 申请日期 2014.03.12
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 发明人 金元浩 JIN, YUAN-HAO;李群庆 LI, QUN-QING;范守善 FAN, SHOU-SHAN
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号 TW