使用ＩｎＡｌＮ及ＡｌＧａＮ双层封顶堆叠之矽基板上的低薄膜电阻ＧａＮ通道;LOW SHEET RESISTANCE GAN CHANNEL ON SI SUBSTRATES USING INAIN AND AIGAN BI-LAYER CAPPING STACK

摘要

电晶体或电晶体层包括2DEG GaN通道上之InAlN及AlGaN双层封顶堆叠，诸如Si基板上之GaN MOS结构。GaN缓冲层或堆叠中可形成GaN通道以补偿高结晶结构晶格尺寸及GaN及Si间之热膨胀失配系数。双层封顶于下AlGaN层上堆叠上InAlN层，引发通道中之电荷极化，补偿不良组成均匀性(例如Al)，及补偿InAlN材料之底表面之粗糙表面形态。其可导致250及350欧姆/sqr间之薄膜电阻。其亦减少InAlN材料层生长期间Si晶圆上GaN之翘曲，及提供AlGaN退缩层用于蚀刻闸极区中InAlN层。