SCB集成纳米含能复合薄膜的电爆换能元

摘要

本实用新型公开了一种SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，由下向上依次包括Si基底、SiO₂绝缘层、N型重掺杂多晶硅桥、金属焊盘、Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜，Si基底的上表面有SiO₂绝缘层，SiO₂绝缘层上表面沉积生长一层N型重掺杂多晶硅层，N型重掺杂多晶硅层的中间部分刻蚀形成N型重掺杂多晶硅桥，N型重掺杂多晶硅桥两侧的N型重掺杂多晶硅层上表面均设置金属焊盘，N型重掺杂多晶硅桥的桥区上方覆盖Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜，所述Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜的底层为M_xO_y薄膜，M_xO_y薄膜和Al薄膜由下至上交替分布，且M_xO_y薄膜和Al薄膜的厚度均为纳米级。本实用新型提高了电爆换能元的安全性和点火能力，电爆换能元的MEMS制作工艺提高了与火工品其他部件的集成度。

主权项

一种SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，其特征在于，由下向上依次包括Si基底(1)、SiO₂绝缘层(2)、N型重掺杂多晶硅桥(3)、金属焊盘(4)、Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜(5)，所述Si基底(1)的上表面有SiO₂绝缘层(2)，SiO₂绝缘层(2)上表面沉积生长一层N型重掺杂多晶硅层，N型重掺杂多晶硅层的中间部分刻蚀形成N型重掺杂多晶硅桥(3)，N型重掺杂多晶硅桥(3)两侧的N型重掺杂多晶硅层上表面均设置金属焊盘(4)，N型重掺杂多晶硅桥(3)的桥区上方覆盖Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜(5)，所述Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜(5)的底层为M_xO_y薄膜，M_xO_y薄膜和Al薄膜由下至上交替分布，且M_xO_y薄膜和Al薄膜的厚度均为纳米级。