| 发明名称 | 单片集成红外焦平面探测器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种单片集成红外焦平面探测器，包括：衬底；TFT信号读出电路阵列以及TFT信号处理电路阵列，位于衬底之上；红外探测像素单元阵列，位于TFT信号读出电路阵列之上。相应地，本发明还提供了单片集成红外焦平面探测器的制造方法。本发明利用非晶态氧化物半导体的高迁移率、高均匀性和简单工艺的特性，将处理电路、读出电路与探测器阵列集成制作在同一衬底基板上。实现了制作探测器与读出电路的全薄膜工艺，在工艺流程上一次完成，因而降低了制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103076099B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201310024184.0 | 申请日期 | 2013.01.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;王玉光;陈大鹏 |
| 分类号 | G01J5/00(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | G01J5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波;何平 |
| 主权项 | 一种单片集成红外焦平面探测器，包括：衬底；TFT信号读出电路阵列以及TFT信号处理电路阵列，位于衬底之上；其中，TFT为非晶态氧化物半导体TFT；红外探测像素单元阵列，位于TFT信号读出电路阵列之上；其中，红外探测像素单元为微桥绝热结构的红外探测像素单元，其中，每个红外探测像素单元与TFT信号读出电路之间存在微桥隔热空腔(360)，每个红外探测像素单元与TFT信号读出电路通过互连电极(340)相连。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||