发明名称 |
具有埋入式触点的垂直固态换能器及高电压固态换能器以及相关联系统及方法 |
摘要 |
本文中揭示具有埋入式触点的固态换能器“SST”及垂直高电压SST。根据特定实施例的SST裸片可包含换能器结构,所述换能器结构具有:第一半导体材料,其在所述换能器结构的第一侧处;及第二半导体材料,其在所述换能器结构的第二侧处。所述SST可进一步包含:多个第一触点,其在所述第一侧处且电耦合到所述第一半导体材料;及多个第二触点,其从所述第一侧延伸到所述第二半导体材料且电耦合到所述第二半导体材料。互连件可形成于至少一个第一触点与一个第二触点之间。所述互连件可用多个封装材料覆盖。 |
申请公布号 |
CN104919605A |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201380063850.X |
申请日期 |
2013.12.04 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;马丁·F·舒伯特 |
分类号 |
H01L33/36(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
路勇 |
主权项 |
一种固态换能器SST裸片,其包括:换能器结构,其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧、在所述第一侧处的第一半导体材料及在所述第二侧处的第二半导体材料;多个第一触点,其中个别第一触点电耦合到所述第一半导体材料;多个第二触点,其中第二触点电耦合到所述第二半导体材料,所述第二触点从所述换能器结构的所述第一侧延伸到所述第二半导体材料;及互连件,其形成于至少一个第一触点与一个第二触点之间。 |
地址 |
美国爱达荷州 |