氧化物半导体薄膜之评估方法及氧化物半导体薄膜之品质管理方法以及上述评估方法所使用的评估元件及评估装置

摘要

本发明系提供正确且简便地测量氧化物半导体薄膜之电阻率，并予以评估预测推算之方法，及氧化物半导体之品质管理方法。与本发明有关之氧化物半导体薄膜之评估方法包含：第1工程，其系对形成有氧化物半导体薄膜之试料照射激发光及微波，测量藉由照射上述激发光而变化的上述微波从上述氧化物半导体薄膜而来的反射波之最大值之后，停止照射上述激发光，并测量停止照射上述激发光之后的上述微波从上述氧化物半导体薄膜而来的反射波之反射率之变化；和第2工程，其系从上述反射率之变化算出与停止照射激发光之后可见的缓慢衰减对应的参数，并评估上述氧化物半导体薄膜之电阻率。