| 主权项 |
一种低压、低温度系数基准源电路，其特征在于，包括：与温度无关的电流产生电路，衬底偏置电路和基准电压产生电路，其中：所述与温度无关的电流产生电路用于产生低温度系数的电流，为基准源的输出级提供电流；所述衬底偏置电路用于产生衬底偏置电压，对与温度无关的电流产生电路进行温度补偿；所述基准电压产生电路用于产生与温度无关的基准电压；所述与温度无关的电流产生电路包括：第一NMOS晶体管(MN1)、第二NMOS晶体管(MN2)、第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)和第一电阻(R1)，其中，所述第一NMOS晶体管(MN1)的源极、所述第一NMOS晶体管(MN1)的衬底和所述第二NMOS晶体管(MN2)的源极接地(GND)；所述第二NMOS晶体管(MN2)的衬底接所述衬底偏置电路；所述第一NMOS晶体管(MN1)的栅极和所述第一PMOS晶体管(MP1)的漏极接所述第一电阻(R1)的正极；所述第二NMOS晶体管(MN2)的栅极和所述第一NMOS晶体管(MN1)的漏极接所述第一电阻(R1)的负极；所述第二NMOS晶体管(MN2)的漏极接所述第二PMOS晶体管(MP2)的漏极；所述第一PMOS晶体管(MP1)的源极和所述第二PMOS晶体管(MP2)的源极接电源电压(VDD)；所述第一PMOS晶体管(MP1)的衬底和所述第二PMOS晶体管(MP2)的衬底接电源电压(VDD)；所述第一PMOS晶体管(MP1)的栅极接所述第二PMOS晶体管(MP2)的栅极，所述第二PMOS晶体管(MP2)的栅极与所述第二PMOS晶体管(MP2)的漏极短接；所述第一电阻(R1)的电流(I1)作为所述基准电压产生电路的电流；所述衬底偏置电路包括：第三NMOS晶体管(MN3)和第三PMOS晶体管(MP3)，其中，所述第三NMOS晶体管(MN3)的源极和衬底接地(GND)；所述第三NMOS晶体管(MN3)的栅极和漏极短接并接所述第二NMOS晶体管(MN2)的衬底和所述第三PMOS晶体管(MP3)的漏极；所述第三PMOS晶体管(MP3)的源极和衬底接电源电压(VDD)；所述第三PMOS晶体管(MP3)的栅极接所述第一PMOS晶体管(MP1)和所述第二PMOS晶体管(MP2)的栅极；所述第三NMOS晶体管(MN3)的栅极为所述第二NMOS晶体管(MN2)的衬底提供偏置电压。 |
