| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 实施方式提供一种提升光特性的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置具备包含n型半导体层、p型半导体层、及发光层的积层体。所述积层体具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面。所述半导体发光装置更具备：n侧配线部，在所述第2面侧电连接于所述n型半导体层；p侧配线部，电连接于所述p型半导体层；第1绝缘膜，设为相接于所述第1面的外缘部且包围所述第1面，该第1绝缘膜具有位于所述第1面的所述外缘部的内侧的壁面，且使所述发光层的放射光透过；及树脂层，设于所述第1面上且覆盖所述壁面，使所述发光层的放射光透过。 | ||
| 申请公布号 | CN104916754A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410453508.7 | 申请日期 | 2014.09.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 秋山和博 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，其特征在于包括：积层体，具有第1面以及与所述第1面为相反侧的第2面，且包含n型半导体层、p型半导体层、以及设于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的发光层；n侧配线部，在所述第2面侧电连接于所述n型半导体层；p侧配线部，在所述第2面侧电连接于所述p型半导体层；第1绝缘膜，设为相接于所述第1面的外缘部且包围所述第1面，该第1绝缘膜具有位于所述第1面的所述外缘部的内侧的壁面，且使所述发光层的放射光透过；以及树脂层，设于所述第1面上且覆盖所述壁面，使所述发光层的放射光透过。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||