发明名称 用于两端点存储器的选择器装置
摘要 本文涉及用于两端点存储器的选择器装置,公开提供具有非线性电流-电压(I-V)响应的固态存储器。本发明以举例的方式提供一种选择器装置。该选择器装置可经由整体制造工艺串联非易失性存储器装置而形成。此外,该选择器装置可以提供实质上非线性I-V响应以适当减轻该非易失性存储器装置的漏电流。在各种揭露的实施例方式中,该选择器装置及该非易失性存储器装置的串连组合可充当1-晶体管、多-电阻电阻式存储器单元数组中的一组存储器单元的一个。
申请公布号 CN104916776A 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201510105630.X 申请日期 2015.03.11
申请人 科洛斯巴股份有限公司 发明人 S·H·乔
分类号 H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种形成用于两端点存储器装置的选择器装置的方法,包括:提供包括第一金属材料的第一层状结构;提供接触该第一层状结构的选择器材料的层;以及提供包含第二金属材料且接触该选择器材料的该层的第二层状结构,其中:该第一金属材料用以提供导电离子至该选择器材料以响应施加跨过该第一层状结构和该第二层状结构的电压,该选择器材料用以使该导电离子能渗透入该选择器材料层以响应该施加跨过该第一层状结构和该第二层状结构的电压,该第一层状结构、该选择器材料层、以及该第二层状结构形成该选择器装置,以及该选择器装置与该两端点存储器装置电气串联。
地址 美国加利福尼亚