| 发明名称 | 具有晶体结构的N功函金属 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种方法，该方法包括在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，该半导体衬底包括在晶圆中。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以形成凹槽，在凹槽中形成栅极介电层，且在凹槽中和栅极介电层上方形成金属层。金属层具有n功函。金属层的一部分具有晶体结构。该方法还包括使用金属材料填充凹槽的剩余部分，其中，金属材料覆盖金属层。本发明还涉及具有晶体结构的N功函金属。 | ||
| 申请公布号 | CN104916543A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410345066.4 | 申请日期 | 2014.07.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 洪奇成;刘冠廷;粘骏楠 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，所述半导体衬底包括在晶圆中；去除所述伪栅极堆叠件以形成凹槽；在所述凹槽中形成栅极介电层；在所述凹槽中以及所述栅极介电层上方形成金属层，其中，所述金属层具有n功函，所述金属层的一部分具有晶体结构；以及使用金属材料填充所述凹槽的剩余部分，其中，所述金属材料覆盖所述金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||