半导体装置

摘要

本发明提供一种具有累积有压缩应力之GaN之半导体装置。;实施形态之半导体装置包含GaN层、及AlXGa1-XN(0≦X<1)层。上述AlXGa1-XN(0≦X<1)层系与上述GaN层接触地设于上述GaN层之上，且含有C。