一种静电放电保护电路;A ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT

摘要

本发明揭示一种静电放电保护电路，其主要包含：一二极体，设置于一N型井区，一包含一高浓度P型掺杂区与不相邻的一高浓度N型掺杂区；一金氧半(NMOS)电晶体，设置于一P型井区，包含一汲极、一源极与一闸极，该汲极与该源极系皆由高浓度N型掺杂区所形成；其中该P型井区更包含一相邻于该源极之高浓度P型掺杂区，该金氧半(NMOS)电晶体之汲极系电性连接于该二极体之高浓度N型掺杂区，该金氧半(NMOS)电晶体之源极与相邻的该高浓度P型掺杂区系电性地接地，且该金氧半(NMOS)电晶体之闸极系电性连接一触发接点。藉次，该静电放电保护电路具有极低的寄生与杂散电容，极高容忍电压操作范围与高ESD静电保护能力，能解决射频接收端脚的ESD问题。