在不相似的基板上制造半导体结构的方法;METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES ON DISSIMILAR SUBSTRATES

摘要

本发明揭示了用于在具有多深宽比遮罩之不同的基板上形成无缺陷的半导体结构之技术。该多深宽比遮罩包含在一基板上形成之一第一、第二、及第三层。该第二层具有分别比该第一及第三层中之一第一开口及一第三开口宽的一第二开口。所有三个开口的中心对准一共同轴。自该基板之上表面生长一半导体材料，且该半导体材料横向生长到该第二开口内之该第一层的上表面之上。使用该第三层作为一蚀刻遮罩，而蚀刻被配置在该第三开口之内以及在该第三开口垂直下方之该半导体材料，因而横向溢流到该第一层的上表面之上的剩余材料形成了一剩余结构。