发明名称 |
形成嵌入电阻之可调温度系数的方法;METHODS OF FORMING TUNEABLE TEMPERATURE COEFFICIENT FOR EMBEDDED RESISTORS |
摘要 |
本发明说明了形成具有可调电阻温度系数的电阻器结构之方法。那些方法及结构可包含:在邻接一装置基材上的源极/汲极开口的一电阻器材料中形成一开口;在该电阻器材料与该等源极/汲极开口之间形成一介电材料;以及修改该电阻器材料,其中系由该修改调整该电阻器材料之温度系数电阻(TCR)。该修改包括:调整该电阻器之长度;形成一复合电阻器结构;以及形成一替代电阻器。 |
申请公布号 |
TW201535470 |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
TW103133280 |
申请日期 |
2014.09.25 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION |
发明人 |
贺菲斯 瓦力德 HAFEZ, WALID M.;李呈光 LEE, CHEN GUAN;简 嘉弘 JAN, CHIA-HONG |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |