非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。该非挥发性记忆体的制造方法是先在基底上形成具有突起部的第一氧化物层。然后，在突起部二侧的基底中形成一对掺杂区。接着，在突起部的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁。而后，在第一氧化物层与电荷储存间隙壁上形成第二氧化物层。之后，在第二氧化物层上形成导体层。同时本发明还提供了一种利用上述方法制造的非挥发性记忆体。本发明通过利用形成于氧化物突起部的侧壁上的电荷储存间隙壁来作为电荷储存区域，因此可以有效地将电荷分别局限于电荷储存间隙壁中，以避免在进行读取操作时产生第二位元效应，以及避免相邻的记忆胞在进行程序化操作时产生程序化干扰的问题。

主权项

一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底上形成一第一氧化物层，该第一氧化物层具有一突起部；在该突起部二侧的该基底中形成一对掺杂区；在该突起部的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁；在该第一氧化物层与该对电荷储存间隙壁上形成一第二氧化物层；以及在该第二氧化物层上形成一导体层；其中，该第一氧化物层的形成方法包括：在该基底上形成一第一氧化物材料层；在该第一氧化物材料层上形成一图案化罩幕层；以该图案化罩幕层为罩幕，移除部分该第一氧化物材料层，以形成该突起部；及移除该图案化罩幕层；其中在移除部分该第一氧化物材料层之后，未暴露出位于该突起部二侧的该基底。