| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 为了提供ESD耐受能力高的半导体装置，多个源布线(22)分别由相同形状的金属膜构成，使多个源(12)分别与接地电压布线(22a)电连接，多个漏布线(23)分别由相同形状的金属膜构成，使多个漏(12)分别与输入电压布线(23a)电连接，多个栅布线(21)分别由相同形状的金属膜构成，使多个栅(11)分别与接地电压布线(22a)电连接。而且，背栅布线(24)由金属膜构成，使背栅(14)与接地电压布线(22a)电连接，背栅布线(24)从源(12)上的源布线(22)分离。 | ||
| 申请公布号 | CN104919577A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201380070544.9 | 申请日期 | 2013.12.20 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 岛崎洸一;广濑嘉胤 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具备ESD保护电路用的NMOS晶体管，其中，该半导体装置具有：所述NMOS晶体管，其具备：交替配置的多个源和多个漏、形成于所述源与所述漏之间的多个且为偶数个的沟道、设于所述多个且为偶数个的沟道之上的多个栅、以及配置于所述多个源中最端部的所述多个源的附近的背栅；接地电压布线，其与外部连接用的接地电压焊盘电连接；输入电压布线，其与外部连接用的输入电压焊盘电连接；多个源布线，其分别由相同形状的金属膜构成，使所述多个源分别与所述接地电压布线电连接；多个漏布线，其分别由相同形状的金属膜构成，使所述多个漏分别与所述输入电压布线电连接；多个栅布线，其分别由金属膜构成，使所述多个栅分别与所述接地电压布线电连接；以及背栅布线，其由金属膜构成，且从所述多个源布线分离，使所述背栅与所述接地电压布线电连接。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||