微影制程及极紫外线微影制程;LITHOGRAPHY PROCESS AND EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY PROCESS

摘要

在具有一光阻层的一标靶(例如，一半导体晶圆)上实施极紫外线微影制程。此方法包括提供沿着第一方向的一维图案化罩幕。此图案化罩幕包括一基板，此基板包括一第一区域及一第二区域。一多层镜位于第一及第二区域之上，一吸收层位于第二区域中且位于多层镜之上，以及一缺陷位于第一区域中。此方法更包括利用一照明器曝光图案化罩幕，以及在曝光图案化罩幕的期间中，将图案化罩幕与标靶设置为沿着第一方向彼此相对移动。如此一来，此标靶所接收到的一累积曝光剂量为一最佳化曝光剂量。