| 发明名称 |
Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及其制造方法;CU-GA ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING THE SAME |
| 摘要 |
本发明之Cu-Ga合金溅镀靶，其系具有Ga：29.5~43.0原子%、以及剩余部分：Cu及不可避免的杂质之组成之烧结体，该烧结体中的Cu-Ga合金结晶粒，具有γ相粒子分散于γ1相结晶粒中之组织。; and the Cu balance and inevitable impurities. The Cu-Ga alloy crystal grains in the calcinated body have a texture in which γ |
| 申请公布号 |
TW201534741 |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
| 申请号 |
TW103140988 |
申请日期 |
2014.11.26 |
| 申请人 |
三菱综合材料股份有限公司 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION |
发明人 |
吉田勇気 YOSHIDA, YUUKI;石山宏一 ISHIYAMA, KOUICHI;森晓 MORI, SATORU |
| 分类号 |
C22C9/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);B22F3/10(2006.01) |
主分类号 |
C22C9/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
