发明名称 |
相移掩膜的制造方法、相移掩膜及相移掩膜的制造装置 |
摘要 |
使构成相移层的多级区域的最上层与其下的层相比,含氧量更多。据此,成为曝光光入射侧的最上层的反射率降低。因此,能够减少由相移掩膜反射的反射光,防止由反射光引起的图案形成精度的降低,从而能够实现微细且高精度的图案形成。 |
申请公布号 |
CN104919368A |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201480005329.5 |
申请日期 |
2014.04.17 |
申请人 |
爱发科成膜株式会社 |
发明人 |
望月圣;中村大介;影山景弘 |
分类号 |
G03F1/28(2006.01)I;G03F1/29(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
张路;王琦 |
主权项 |
一种相移掩膜的制造方法,所述相移掩膜具有:透明基板;以及相移层,至少具有在所述透明基板的一面侧以固定厚度形成的部分且以Cr为主成分,能够针对300nm以上且500nm以下的波长区域的任意一种光具有180°的相位差,其特征在于,所述相移掩膜的制造方法具有:多级地形成所述相移层的工序;以及对所述相移层进行蚀刻,并以使所述相移层与所述透明基板具有俯视观察到的边界部分的方式,对所述相移层进行图案化以形成相移图案的工序,使所述相移层中位于最上层的第一层与位于所述第一层之下且面对所述第一层的第二层相比,含氧量更多。 |
地址 |
日本埼玉县 |