| 发明名称 | 半导体器件结构和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104916579A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410443141.0 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李立国;刘宜臻;刘永盛;赖怡仁;陈俊仁;郑锡圭 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成导电柱；在所述导电柱上方形成焊料层；在所述焊料层上方形成水溶性助焊剂；以及回流所述焊料层以在所述导电柱上方形成焊料凸块，并且在回流所述焊料层期间在所述导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||