| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置具备：n型的氮化物半导体层；绝缘层，选择性地设置在氮化物半导体层上；n型的第一氮化物半导体区域，设置在氮化物半导体层上及绝缘层上；n型的第二氮化物半导体区域，设置在绝缘层上；p型的第三氮化物半导体区域，设置在第一氮化物半导体区域和第二氮化物半导体区域之间；栅极绝缘膜，设置在第三氮化物半导体区域上；栅电极，设置在栅极绝缘膜上；第一电极，与第二氮化物半导体区域电连接；以及第二电极，设置在氮化物半导体层的绝缘层相反侧，与氮化物半导体层电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN104916694A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410400103.7 | 申请日期 | 2014.08.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 藤本英俊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 高迪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：n型的氮化物半导体层；绝缘层，选择性地设置在所述氮化物半导体层上；n型的第一氮化物半导体区域，设置在所述氮化物半导体层上及所述绝缘层上；n型的第二氮化物半导体区域，设置在所述绝缘层上；p型的第三氮化物半导体区域，设置在所述第一氮化物半导体区域和所述第二氮化物半导体区域之间；栅极绝缘膜，设置在所述第三氮化物半导体区域上；栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上；第一电极，与所述第二氮化物半导体区域电连接；以及第二电极，设置在所述氮化物半导体层的与所述绝缘层相反的一侧，与所述氮化物半导体层电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||