| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供具有第一器件类型区域和第二器件类型区域的半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极结构；去除伪栅极结构，在留下的沟槽内依次形成界面层、高k介电层和第一覆盖层；形成牺牲材料层，以完全填充所述沟槽；去除位于第一器件类型区域上的牺牲材料层，在其上形成第一金属栅极结构；去除位于第二器件类型区域上的牺牲材料层，在其上形成第二金属栅极结构。根据本发明，可以分别独立地形成适用于NMOS和PMOS的功函数设定金属层，避免了后续工序中适用于PMOS的功函数金属层与适用于NMOS的功函数金属层之间发生的反应；额外增加一第二覆盖层以进一步抑制金属栅极结构中的金属材料向高k介电层的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN104916588A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410088249.2 | 申请日期 | 2014.03.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李勇;张帅;赵杰;宋伟基 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有第一器件类型区域和第二器件类型区域的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；去除所述伪栅极结构，并在留下的沟槽内依次形成界面层、高k介电层和第一覆盖层；形成牺牲材料层，以完全填充所述沟槽；去除位于所述第一器件类型区域上的牺牲材料层，在所述第一器件类型区域上形成第一金属栅极结构；去除位于所述第二器件类型区域上的牺牲材料层，在所述第二器件类型区域上形成第二金属栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||