| 发明名称 | 氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件。所述氮化物半导体晶体不会产生开裂、裂纹，具有可取得多张氮化物半导体自支撑衬底的结构。所述氮化物半导体晶体(10)的特征在于，层叠同种的氮化物半导体层至厚度2mm以上，且前述层叠的同种氮化物半导体层是通过杂质浓度低的氮化物半导体层(1)和杂质浓度高的氮化物半导体层(2)交替2周期以上地层叠而构成的。 | ||
| 申请公布号 | CN102154704B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201010547424.1 | 申请日期 | 2010.11.15 |
| 申请人 | 株式会社赛奥科思 | 发明人 | 藤仓序章 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体晶体，其特征在于，层叠同种的氮化物半导体层至厚度2mm以上，且所述层叠的同种氮化物半导体层是通过第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交替2周期以上地层叠而构成的，其中所述第2氮化物半导体层的杂质浓度比所述第1氮化物半导体层的杂质浓度高，且所述第2氮化物半导体层的厚度为800μm以上，所述第1氮化物半导体层的厚度为所述第2氮化物半导体层的厚度的1/20以上且为40μm以上。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||