发明名称 |
低功耗绝缘调制电极 |
摘要 |
本发明披露了一种发光器件,多通道发光器件和它们的制造方法。发光器件可包括基板;基板上的下接触层,包括第一区域的第一下接头和第二区域的多个第二下接头;第一区域的第一下接头上的多个发光薄膜器件;第二区域的第二下接头上的多个光调制薄膜器件;所述多个发光薄膜器件上的多个第一上接头;所述多个光调制薄膜器件上的多个第二上接头;和第一和第二区域之间的绝缘区域,用于对所述多个第一上接头和多个第二上接头进行电隔离。 |
申请公布号 |
CN103236645B |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201310108317.2 |
申请日期 |
2013.03.29 |
申请人 |
索尔思光电(成都)有限公司 |
发明人 |
尼尔·马格里特;马克·海姆巴赫;张欣刚 |
分类号 |
H01S5/042(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/042(2006.01)I |
代理机构 |
四川力久律师事务所 51221 |
代理人 |
林辉轮;王芸 |
主权项 |
一种发光器件,包括:基板;在基板上或上方的下接触层,该下接触层包括基板第一区域内的第一下接头和基板第二区域内的多个第二下接头;第一区域的第一下接头上或上方的多个发光薄膜器件,其电接触第一下接头;第二区域的第二下接头上或上方的多个光调制薄膜器件,其中各光调制薄膜器件电接触单独的所述第二下接头;所述多个发光薄膜器件上或上方的多个第一上接头,其中各第一上接头电接触单独的所述发光薄膜器件;所述多个光调制薄膜器件上或上方的多个第二上接头,其中各第二上接头电接触单独的光调制薄膜器件;和第一和第二区域之间的绝缘区域,电隔离所述多个第一上接头和多个第二上接头。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区西区科新路8号成都出口加工区西区2号5号标准厂房 |