发明名称 半导体发光元件及其制造方法;SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 一种半导体发光元件,其包括基板、第一型掺杂半导体结构、发光层以及第二型掺杂半导体层。第一型掺杂半导体结构位于基板上且包括基底以及由基底向上延伸的多个多段式柱状结构。各多段式柱状结构包括多段柱状体以及至少一连接部。连接部将相邻两段柱状体沿第一方向串接,其中第一方向垂直基底且由基底指向连接部。不同段柱状体在平行基板的参考平面上的截面积彼此不同,且连接部在参考平面上的截面积沿第一方向减少。发光层位于柱状体的侧壁面上。第二型掺杂半导体层位于发光层上。另提供一种半导体发光元件的制造方法。
申请公布号 TW201535774 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW103108403 申请日期 2014.03.11
申请人 国立台湾大学 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY 发明人 杨志忠 YANG, CHIH CHUNG;廖哲浩 LIAO, CHE HAO;杜长耕 TU, CHARNG GAN;陈鸿祥 CHEN, HORNG SHYANG;苏佳莹 SU, CHIA YING
分类号 H01L33/02(2010.01) 主分类号 H01L33/02(2010.01)
代理机构 代理人 叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址 台北市大安区罗斯福路4段1号 TW